2025年以来各大存储厂商均发布减产计划，美光预计减产10%，三星预计减产15%，海力士预计上半年减产10%，铠侠自2024年12月开始减产，在原厂减产大背景下，存储市场库存去化明显。具体来看，DRAM方面，2024年Q3部分原厂将传统DRAM产能转至DDR5、HBM等更高利润的产品，2025年海外多家存储原厂接连宣布将停产DDR4、LPDDR4X等旧制程DRAM产品。
受此影响，DDR4、LPDDR4X、DDR5、NAND Flash价格自二季度起开启轰轰烈烈的涨价潮，整个价格已经连续五个月大幅上涨。未来随着HBM产能挤占叠加新旧制程切换影响，诸如恺侠等原厂的产能已经销售一空，DDR5、NAND Flash供应持续趋于紧张，整个存储市场有望迎来涨价行情的超级周期。
近段时间以来，包括低端资源在内的NAND、DRAM供应持续紧张，现货贸易端控盘严重，渠道厂商可承受价格范围内的资源基本颗粒难觅，控货涨价持续笼罩于渠道市场当中，现货市场强势拉涨SSD和DDR4、DDR5内存条价格。
根据CFM数据显示，截至本周（10月13日—10月18日），DDR5 16G/DDR4 16G/DDR3 4G均价为10.343/24.167/2.72美金，相较上周同比+20.59%/+11.11%/6.12%,相较上月同比+58.73%/+43%/+33.46%,DDR5补张加速。
NAND Flash方面，截至本周（10月13日—10月18日），大容量1Tb QLC/1Tb TLC/512Gb TLC/256Gb TLC wafer均价为6/6.7/4.2/3.4美金，相较上周同比+17.6%/+17.5%/+20%/+6.3%，相较上月同比+22.4%/+21.8%/+31.3%/+13.3%,涨价明显加速。
存储迎来新一轮“超级涨价周期”
面对存储产品强势的市场表现，国际投行摩根士丹利在研报中指出，AI驱动下存储行业供需失衡加剧，预计将开启持续数年的“超级周期”，到2027年全球存储市场规模有望向3000亿美元迈进，存储芯片行业或正迎来新一轮产业周期的起点。
对于本轮行情，德邦证券在研报中分析，存储行业本轮受AI驱动，持续性可能更强。
